次世代メモリーの動きが急だ（１）（20020718）

2002.7.18

次世代メモリーの動きが急だ（１）…

　いよいよＭＲＡＭの登場が間近に迫ってきた。2002年6月、モトローラがついに１ＭビットＭＲＡＭを発表した。2003年サンプル出荷、2004年商用化が実現しそうだ。(http://www.motorola.com/mediacenter/news/detail/0,1958,1499_1158_23,00.html)

　ＭＲＡＭは磁気ディスクを半導体化したようなものだから、製造で一番難しいのは磁性膜の反応性エッチングプロセスだと予想される。１Ｍビット作成に成功したのだから、この技術にほぼ目処がついたのだろう。
　そうなると、次は、ＩＣチップでの混載に進む。ＣＭＯＳとはプロセスが大きく異なるから困難と思われるが、モトローラは解決可能と考えているようだ。
　フィリップス、ＳＴマイクロエレクトロニクス、ＴＳＭＣ（台湾のファウンドリー企業：台湾の工業技術院ＩＴＲＩとＭＲＡＭ開発を行っている。）の３社がフランスの研究施設で行っている、300ミリウエハでの90ナノＣＭＯＳ製造プラットフォーム開発への参加を表明したからだ。組み込みＭＲＡＭ技術を提供し、ＳｏＣ（システムオンチップ）化を一挙に実現する意向のようだ。
　高価なＳＲＡＭ、混載が難しいＤＲＡＭ、書き込みが遅い不揮発メモリのフラッシュといったメモリを一挙にＮＲＡＭで代替しようとの目論見といえよう。

　成功すれば、メモリ体系が一気に変わる。

　尤も、業界通は、ＭＲＡＭ登場で大変動が起きるとは見ないようだ。新メモリセグメントが立ちあがるだけ、との予測が多い。
　しかし、本当だろうか。

　おそらく、ＭＲＡＭの最初の用途は、高速サーバのキャッシュメモリだろう。この市場が立ちあがれば、コストの大幅低下も可能になる。そうなると、様々な形で使われ始める始める。究極的には、磁気ディスク代替もありえる。今のパソコンは磁気ディスクから立ち上がる仕組みだが、ＭＲＡＭから立ちあがれば瞬時にコンピュータが動く。ＯＳ（ＤＯＳ）も一変する。
　磁気ディスク開発の歴史を振り返れば、このような未来も「夢」と片付ける訳にはいくまい。

　[誤植] 誤NRAM→正MRAM（Magneto-resistive RAM or Magnetic RAM)　・・・2003年9月2日読者の方からのご指摘

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