次世代メモリーの動きが急だ（３）（20020718）

2002.7.18

次世代メモリーの動きが急だ（３）…

　ＭＲＡＭはこれからの製品だが、ＦＲＡＭはすでに実用化済みだ。次世代不揮発性メモリとして、日本の代表的メーカーほとんどが手がけている。

　「メモリーのイノベーター」と自称するＲＡＭＴＲＯＮは2001年に２５６ＫのＦＲＡＭを上市しており、売上が急速に伸びた。2001年第１四半期は僅か75万ドルだったが、2002年第１四半期の売上は460万ドルに達した。(http://www.ramtron.com/press/news/020418_1q2002_results.htm)対象市場は2002年が電力メーター用途中心の５億ドル弱だが、2003年には３倍になるとの予測を示している。テレコム市場開拓の見通しはまだ立っていない模様だ。

　流石、イノベーターと誇るだけあって、すでに１６製品をラインアップしており、圧倒的に先を歩んでいる。このため、ライセンス先は、インフィニオン(資本参加)に加え、日本の大手、富士通、日立、ローム、東芝、ＮＥＣのほか、サムスン、ＴＩと数多い。（ＩＢＭやマイクロン、松下もＦＲＡＭ開発を行っている。）
　しかし、ＭＲＡＭと同じ不揮発性メモリだが、データを破壊して読み込むので（同時に書き込む必要がある。）、読み込み高速化は難しいし、信頼性の点でもメインメモリには向かない。にもかかわらず、人気が高いのは、フラッシュよりは書き込みが速く、消費電力が小さいからである。富士通の適応はスマートカードだったが、日本企業の狙いは明らかにケータイなどのモバイル製品である。

　現在のケータイはＣＰＵのＲＩＳＣ・ベースバンドチップに、メインストレージメモリとワークメモリから形成されている。メインに６４ＭのＮＯＲ型フラッシュを２個搭載し、ワーク用のＳＲＡＭを加えるのが標準的だ。高価なＳＲＡＭをＦＲＡＭに変え、フラッシュもＮＯＲ型から、プログラム化が速いＮＡＮＤ型に変えることになろう。
　日本が強いＮＡＮＤ型フラッシュとＦＲＡＭがすぐに直接競争することにはなるまい。

　といっても、ＦＲＡＭ浸透シナリオには、コストが十分下がるという前提が不可欠だ。新しいプロセスが加わるものの、大量生産に踏みきればコスト低下は間違いないが、密度を上げると従来のものとは異なりバラツキが発生しやすいから、コストは下げ渋る可能性もある。

　技術力検証の目次へ＞＞＞　　　　トップ頁へ＞＞＞